許軍

教授

清華大學微電子研究所教授

教育背景

  • 1994年09月-1996年08月   清華大學,微電子學研究所,博士后
  • 1989年09月-1994年07月   航天工業部771研究所,計算機器件與設備專業,博士
  • 1986年09月-1989年07月   航天工業部771研究所,計算機器件與設備專業,碩士
  • 1981年09月-1986年07月   清華大學,半導體器件與物理專業,工學學士

工作履歷

  • 2002年12月-至今,清華大學,微電子學研究所,研究員
  • 1997年07月-2002年11月,清華大學,微電子學研究所,副研究員(其中1997/11-1999/11,美國新奧爾良大學,先進材料研究所固體器件研究組,訪問學者)
  • 1996年10月-1997年06月,清華大學,微電子學研究所,助理研究員

主持或參加科研項目(課題)及人才計劃項目情況

  1. 國家自然科學基金國際合作項目,60820106001,SiGe應變溝道功率MOSFET器件,2009/01-2011/12,80萬元,已結題,主持
  2. 國家自然科學基金重點項目,60636010,適用于65nm技術代以后的CMOS器件柵工程和溝道工程關鍵技術研究,2007/01-2010/12,200萬元,已結題,主持
  3. 國家自然科學基金面上項目,60476107,下一代超高速應變硅MOS器件與集成電路基礎研究,2005/01-2007/12,26萬元,已結題,主持、

代表性論文

  • (1) Jun Xu*, Ming-C. Cheng, Design optimization of high-performance low-temperature 0.18 μm MOSFET's with low-impurity-density channels at supply voltage below 1 V, IEEE Transactions on Electron Devices, 2000, 47(4): 813-821.
  • (2) Qian Xie, Chia-Jung Lee, Jun Xu*, Clement Wann, Jack Y.-C. Sun, Yuan Taur, “Comprehensive Analysis of Short-Channel Effects in Ultrathin SOI MOSFETs,” IEEE Trans. Electron Devices, 2013, 60(6): 1814-1819.
  • (3) Zhen Tan, He Tian, Tingting Feng, Lianfeng Zhao, Dan Xie, Yi Yang, Lei Xiao, Jing Wang, Tian-Ling Ren, Jun Xu*, A small-signal generator based on a multi-layer graphene/molybdenum disulfide heterojunction, Applied Physics Letters, 2013, 103(26): 263506.
  • (4) Mei Zhao, Renrong Liang, Jing Wang, Jun Xu*, Improved electrical properties of Ge metal-oxide-semiconductor devices with HfO2 gate dielectrics using an ultrathin GeSnOx film as the surface passivation layer, Applied Physics Letters, 2013, 102(4): 142906-1-142906-3.
  • (5) Qian Xie, Jun Xu*, Yuan Taur, Review and Critique of Analytic Models of MOSFET Short-Channel Effects in Subthreshold, IEEE Trans. Electron Devices, 2012, 59(6): 1569-1579.
  • (6) Ning Cui, Renrong Liang, Jun Xu*, Heteromaterial gate tunnel field effect transistor with lateral energy band profile modulation, Applied Physics Letters, 2011, 98(14): 14210
  • (7) Jun Xu*, Ming-C. Cheng, Dynamic threshold-voltage SOI MOSFET with a stepped channel doping profile, Proceedings of the IEEE International Caracas Conference on Devices, Circuits and Systems, ICCDCS, Cancun, Mexico, 2000.03.15-03.17, p.D29-1- D29-5.
  • (8) Zhen Tan, Lianfeng Zhao, Yanwen Chen, Jing Wang, Jun Xu*, Compressively strained GaSb P-channel MOSFETs with high hole mobility, 73rd Annual Device Research Conference, DRC 2015, Columbus, OH, United states, 2015.06.21-06.24.
  • (9) Fengying Qiao, Xiao Yu, Liyang Pan, Haozhi Ma, Dong Wu, Jun Xu*, TID characterization of 0.13mm SONOS cell in 4Mb NOR flash memory, Proceedings of the International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits, IPFA, 2012, Singapore, 2012.07.02-07.06.

授權發明專利

  • (1) 梁仁榮、崔寧、王敬、許軍,具有異質柵極功函數的隧穿場效應晶體管及其形成方法,2012.12.12,中國,ZL201110049788.1
  • (2) 梁仁榮、王敬、許軍,半導體器件結構及其形成方法,2012.12.12,中國,ZL201010146499.9
  • (3) 梁仁榮、王敬、許軍,高性能場效應晶體管及其形成方法,2012.12.12,中國,ZL201010268632.8
  • (4) 梁仁榮、許軍、王敬,互補隧道穿透場效應晶體管及其形成方法,2012.12.19,中國,ZL201110086616.1
  • (5) 梁仁榮、許軍、趙梅、王敬,具有隧穿介質層的柵控肖特基結場效應晶體管及形成方法,2013.07.31,中國,ZL201110061729.6
  • (6) 崔寧、梁仁榮、王敬、許軍,具有準同軸電纜結構的隧穿晶體管及其形成方法,2015.04.15,中國,ZL201210015369.0
  • (7) 劉立濱、梁仁榮、王敬、許軍,一種動態隨機存儲器單元及其制備方法,2015.06.24,中國,ZL201210161248.7
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