教育背景

• 1994年09月-1996年08月   清華大學，微電子學研究所，博士后
• 1989年09月-1994年07月   航天工業部771研究所，計算機器件與設備專業，博士
• 1986年09月-1989年07月   航天工業部771研究所，計算機器件與設備專業，碩士
• 1981年09月-1986年07月   清華大學，半導體器件與物理專業，工學學士

工作履歷

• 2002年12月-至今，清華大學，微電子學研究所，研究員
• 1997年07月-2002年11月，清華大學，微電子學研究所，副研究員（其中1997/11-1999/11，美國新奧爾良大學，先進材料研究所固體器件研究組，訪問學者）
• 1996年10月-1997年06月，清華大學，微電子學研究所，助理研究員

主持或參加科研項目（課題）及人才計劃項目情況

1. 國家自然科學基金國際合作項目，60820106001，SiGe應變溝道功率MOSFET器件，2009/01-2011/12，80萬元，已結題，主持
2. 國家自然科學基金重點項目，60636010，適用于65nm技術代以后的CMOS器件柵工程和溝道工程關鍵技術研究，2007/01-2010/12，200萬元，已結題，主持
3. 國家自然科學基金面上項目，60476107，下一代超高速應變硅MOS器件與集成電路基礎研究，2005/01-2007/12，26萬元，已結題，主持、

代表性論文

• (1) Jun Xu*, Ming-C. Cheng, Design optimization of high-performance low-temperature 0.18 μm MOSFET's with low-impurity-density channels at supply voltage below 1 V, IEEE Transactions on Electron Devices, 2000, 47(4): 813-821.
• (2) Qian Xie, Chia-Jung Lee, Jun Xu*, Clement Wann, Jack Y.-C. Sun, Yuan Taur, “Comprehensive Analysis of Short-Channel Effects in Ultrathin SOI MOSFETs,” IEEE Trans. Electron Devices, 2013, 60(6): 1814-1819.
• (3) Zhen Tan, He Tian, Tingting Feng, Lianfeng Zhao, Dan Xie, Yi Yang, Lei Xiao, Jing Wang, Tian-Ling Ren, Jun Xu*, A small-signal generator based on a multi-layer graphene/molybdenum disulfide heterojunction, Applied Physics Letters, 2013, 103(26): 263506.
• (4) Mei Zhao, Renrong Liang, Jing Wang, Jun Xu*, Improved electrical properties of Ge metal-oxide-semiconductor devices with HfO2 gate dielectrics using an ultrathin GeSnOx film as the surface passivation layer, Applied Physics Letters, 2013, 102(4): 142906-1-142906-3.
• (5) Qian Xie, Jun Xu*, Yuan Taur, Review and Critique of Analytic Models of MOSFET Short-Channel Effects in Subthreshold, IEEE Trans. Electron Devices, 2012, 59(6): 1569-1579.
• (6) Ning Cui, Renrong Liang, Jun Xu*, Heteromaterial gate tunnel field effect transistor with lateral energy band profile modulation, Applied Physics Letters, 2011, 98(14): 14210
• (7) Jun Xu*, Ming-C. Cheng, Dynamic threshold-voltage SOI MOSFET with a stepped channel doping profile, Proceedings of the IEEE International Caracas Conference on Devices, Circuits and Systems, ICCDCS, Cancun, Mexico, 2000.03.15-03.17, p.D29-1- D29-5.
• (8) Zhen Tan, Lianfeng Zhao, Yanwen Chen, Jing Wang, Jun Xu*, Compressively strained GaSb P-channel MOSFETs with high hole mobility, 73rd Annual Device Research Conference, DRC 2015, Columbus, OH, United states, 2015.06.21-06.24.
• (9) Fengying Qiao, Xiao Yu, Liyang Pan, Haozhi Ma, Dong Wu, Jun Xu*, TID characterization of 0.13mm SONOS cell in 4Mb NOR flash memory, Proceedings of the International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits, IPFA, 2012, Singapore, 2012.07.02-07.06.

授權發明專利

• (1) 梁仁榮、崔寧、王敬、許軍，具有異質柵極功函數的隧穿場效應晶體管及其形成方法，2012.12.12，中國，ZL201110049788.1
• (2) 梁仁榮、王敬、許軍，半導體器件結構及其形成方法，2012.12.12，中國，ZL201010146499.9
• (3) 梁仁榮、王敬、許軍，高性能場效應晶體管及其形成方法，2012.12.12，中國，ZL201010268632.8
• (4) 梁仁榮、許軍、王敬，互補隧道穿透場效應晶體管及其形成方法，2012.12.19，中國，ZL201110086616.1
• (5) 梁仁榮、許軍、趙梅、王敬，具有隧穿介質層的柵控肖特基結場效應晶體管及形成方法，2013.07.31，中國，ZL201110061729.6
• (6) 崔寧、梁仁榮、王敬、許軍，具有準同軸電纜結構的隧穿晶體管及其形成方法，2015.04.15，中國，ZL201210015369.0
• (7) 劉立濱、梁仁榮、王敬、許軍，一種動態隨機存儲器單元及其制備方法，2015.06.24，中國，ZL201210161248.7